IT之家12月6日消息，在近日的IEDM（IEEE国际电子器件会议）上，英特尔发布了多项突破性研究成果，并且还给出了最新的路线图，强调该公司正保持“迅捷步伐”，而且他们不仅要维持正轨，还要加快交付时间。
按照英特尔的术语，后纳米时代的切入点即为“埃米”，也就是十分之一纳米，他们将低于2纳米的工艺节点命名为20A和18A，并且将以此首发/首批采用ASML的HighNAEUV设备（可能是18A）。
简单来说，英特尔20A工艺计划在年上半年进入风险试产阶段，而18A工艺将在年下半年准备就绪。
此外，英特尔还确认其即将推出的Intl4工艺已准备好生产。
值得注意的是，公司提到节点“准备生产”的流程与他们预计流程处于风险生产状态的时间线相对应。这意味着Intl4现在处于风险试产状态。
也就是说，这可能意味着下一代MtorLak不会像一些小道爆料所说的那样推迟到年，它将在年的某个时候到来。
▲图源英特尔，via：wccftch
该公司还透露，18A工艺计划在年2月进入风险试产阶段。
此外，英特尔还确认其20A工艺将同时引入RibbonFET和PowrVias技术。
IT之家科普：RibbonFET是一种环栅或纳米晶体管结构，有望像FinFET一样延长摩尔定律，而PowrVia则是一种后端电源传输技术，两者结合的话必然会带来相当大的技术创新。
英特尔技术开发总经理AnnBKllhr表示：
“摩尔定律是关于功能创新的整合，当我们展望未来10到20年的时候，会有一条充满创新的路途。”
当被问及在20A工艺上向RibbonFET和PowrVias技术过渡的问题，以及考虑到该公司在10nm工艺上的失误所带来的潜在风险时，AnnKllhr表示：
“这些并不需要立即完成，但我们看到了转移到PowrVia以启用RibbonFET技术的显著优势，....这一直非常成功，使我们能够加快我们的开发工作。”
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