年2月26日驱动中国昨夜今晨
高通展示第三代5G基带芯片Xnm制程明年上市
据快科技报道，高通今天凌晨在总部圣地亚哥召开发布会，展示第三代5G基带芯片X60。高通介绍，X60基于5nm工艺制程打造，这是全球首个5nm制程基带芯片，功耗进一步降低、整体性能更强。据悉，X60下载速度可达7.5Gbps，上行速度可达3Gbps；支持Voice-Over-NR5G语音技术。
与此同时，高通X60是全球首个支持聚合全部主要频段及其组合的5G基带及射频系统，支持5GSA、NSA双组网，支持毫米波、Sub-6GHz（FDD/TDD）、5DTDD和FDD载波聚合和动态频谱共享。
高通公司总裁安蒙在发布会上表示，本季度高通会向合作伙伴提供X60基带，X60终端预计在明年年初上市。
由此看来，X60将会搭配骁龙成为明年安卓阵营的旗舰组合。
长鑫官方上架DDR4/LPDDR4X内存单条8GBMHz
据快科技报道，长鑫存储官方网站上，已经公开列出了自家的DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4X内存芯片，都符合国际通行标准规范。
据介绍，长鑫DDR4内存芯片可匹配主流市场需求，支持多领域应用、多产品组合，并有充分的可靠性保障，规格方面单颗容量8Gb(1GB)，频率MHz，电压1.2V，工作温度0℃至95℃，78ball、96ballFBGA两种封装样式。
长鑫特别强调，这是第一颗国产的DDR4内存芯片。
根据此前消息，这些芯片都采用国产第一代10nm级工艺制造，预计到年底月产能可达4万片晶圆。
DDR4内存条也是长鑫自主开发设计，搭载原厂颗粒，种类齐全，提供UDIMM桌面型、SO-DIMM笔记本型，容量均为单条8GB，频率MHz，电压1.2V，工作温度0℃至95℃。
LPDDR4X内存芯片号称匹配主流需求，兼备高速度与低功耗，可提供超高续航能力、超低功耗设计、稳定流畅体验，规格方面单颗容量2GB、4GB，频率MHz，电压1.8V、1.1V、0.6V，工作温度-30℃至85℃，ballFBGA封装。
目前，长鑫已开始接受上述产品的技术和销售咨询，相信它们很快就会出现在市面上。
长鑫存储年5月在安徽合肥启动，总投资亿元，专业从事DRAM内存的研发、生产和销售，目前已建成第一座毫米晶圆厂并投产，并通过专用研发线快速迭代研发，结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出了独有的技术体系。
就在去年底，长鑫存储从Polaris获得了大量DRAM技术专利的实施许可，而这些专利来自Polaris年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。
富士康官宣聘请钟南山：担任顾问无偿提供复工复产指导
据快科技报道，2月25日，富士康