前不久Intel宣布即将举行一次重要会议，今天凌晨这个会议正式召开，介绍了Intel在芯片工艺及封装上的进展，其中一个重要内容就是全新的CPU工艺路线图，而且Intel真的改名了，10nm工艺变成了Intel7，7nm变成了Intel4，未来还有Intel3、Intel20A。
Intel是坚定的摩尔定律捍卫者，尽管每代工艺的技术指标是最强的，但在进度上确实已经落后于台积电、三星，现在量产了10nm工艺，台积电已经是第二代5nm工艺了，明年还有3nm工艺。
工艺命名上始终落后对手，对Intel来说宣传很不利，早前网友调侃说Intel应该把10nm改成7nm，毕竟他们的晶体管指标确实达到甚至超过了台积电7nm的水平，没想到这个调侃成真，Intel这次真的改名了，但改的方式也有点独特。
此前的10nmEnhancedSuperFin工艺改为Intel7——对，没有7nm字样，官方就叫做Intel7，你当7nm也行，但Intel没明确说是7nm，这次就是改了，但又没改。
相比TigerLake上的10nmSuperfin工艺，Intel7工艺的每瓦性能提升10-15%（注意Intel介绍性能提升的方式也变了，说的是每瓦性能），首先应用于今年底的AlderLake，数据中心处理器SapphireRapids则会在明年用上Intel7工艺。
Intel原先的7nm工艺则会改名为Intel4，这会是Intel首个应用EUV光刻工艺的FinFET工艺，每瓦性能提升20%，年下半年开始生产，年产品出货，就是之前的7nmMeteorLake处理器。
Intel4工艺之后是Intel3工艺，是最后一代FinFET工艺，每瓦性能提升18%，年下半年开始生产。
再往后Intel也会放弃FinFET晶体管技术，转向GAA晶体管，新工艺名为Intel20A，会升级到两大突破性技术——PowerVia、RibbonFET，前者是Intel独创的供电技术，后者是GAA晶体管的Intel技术实现，预计年问世。
年及之后的工艺还在开发中，命名为Intel18A，会继续改进RibbonFET工艺，同时会用上ASML下一代的高NAEUV光刻机，量产时间不定。