近日，英特尔发布了有关新一代英特尔4芯片制造工艺的新细节。这一进展将使英特尔能够生产更快、更节能的处理器。
Intel4在芯片行业活动IEEEVLSISymposium中详细介绍了该技术，并预览了将使用Intel4品牌的首款处理器。
性能提升
据报道，如果使用相同的功耗，Intel4工艺制造的芯片可以提供比Intel现有芯片高21.5%的时钟速度，或者可以以部分速度的提高为代价来换取更高的能效。据英特尔估计，英特尔4芯片提供与当前处理器相同的时钟速度，可降低40%的功耗。
芯片上的晶体管可以执行多个任务。一些晶体管被组织成逻辑单元，用于对数据执行计算操作的电路，而其他晶体管被组织成SRAM单元，用作芯片的板载存储器，用于保存正在处理的数据。
Intel4提供的逻辑单元密度是上一代芯片制造过程的两倍，将更多计算电路集成到处理器中，提高了性能，相反，SRAM单元密度也提高了20%以上。
新的生产方式
英特尔4能够加快速度的原因之一是，英特尔首次在工艺中使用了一种叫做极紫外光刻(EUV)技术，用光束将晶体管图案雕刻在硅片上。
每台EUV装置的成本约为2亿美元，加热一小块锡产生等离子体，产生光。这个过程每秒可以重复数万次。芯片制造商可以利用EUV设备产生的光束，将更复杂的晶体管图案蚀刻到晶片上，可靠性高。
英特尔表示，在英特尔4工艺中使用EUV技术不仅可以提高芯片性能，还可以减少制造错误。英特尔表示，英特尔4将减少部分制造过程中涉及的步骤数，使生产工作流程更有效率。
英特尔还更改了用于制造处理器的材料，以优化芯片效率。到目前为止，英特尔一直使用钴材料制造连接芯片不同部分的导线。在Intel4工艺中，这将被称为强化铜的材料取代。该材料是钴和铜的结合体，提供更高的性能。
此外，英特尔还更新了芯片的晶体管设计。据报道，由于新互联技术的特性，英特尔试图在不降低性能的情况下移除部分晶体管设计。
Intel4加快速度的背景是容纳的组件减少，可以在芯片上安装更多晶体管，提高性能这一设计变更。
MeteorLake
除了新的半导体制造技术外，英特尔还预览了计划使用英特尔4工艺制造的第一个芯片。内部代码名称为MeteorLake系列。
英特尔表示，MeteorLake处理器有6个针对性能优化的CPU内核，8个针对能效优化的内核，还有集成的GPU和AI模块。第一款MeteorLake处理器将于年上市。
此外，英特尔计划将英特尔4流程升级为更高级的制造技术——英特尔3。该技术计划引入增强的晶体管设计，更广泛地使用EUV技术。据估计，英特尔3的性能将比英特尔4提高18%。