4月27日消息，台积电在美国当地时间4月26日于美国加利福尼亚州圣克拉拉市举办了北美技术研讨会。在此次台积电举办的技术研讨会上，台积电官方进一步明确了旗下先进半导体制造工艺的路线图，宣布将在年量产2nm工艺以及为高性能计算设备(HPC)而开发的N3X工艺。
台积电官方表示，目前其规划的3nm工艺家族有如下版本，分别是基础的N3、成本优化的N3E、性能提升的N3P、为高性能计算设备使用的N3X、为车载设备准备的更为高压耐受的N3AE。
根据了解，台积电旗下的N3E工艺相比较现阶段的台积电5nm工艺，可在相同频率下降低32%的功耗，或者在相同功耗下提高18%的性能。而N3P则可在相同频率下相比较于N3E降低5-10%的功耗，在同功耗的情况下提升5%的性能。
N3X则是优考虑HPC应用的性能和最大时钟频率。因此其与N3P相比，N3X在驱动电压为1.2V的情况下其速度提高了5%,芯片密度与N3P相同。
N3AE则是面向汽车领域的工艺，其具备有更强的可靠性，台积电表示将提供到相关的3nm开发SDK工具帮助开发厂商设计相关产品，并争取在年带来可在汽车上可靠使用的N3A工艺。
台积电给出的时间表指出，其将在年推出基础N3工艺以及N3E工艺的产品，年推出年推出N3P工艺相关产品，N3X和N3AE（N3A）将会在年进行推出。
台积电官方也在次技术研讨会上进一步向未接披露了2nm工艺计划，其将在2nm工艺节点引入新型的GAAFET结构，即门全包围场效应晶体管（Gate-All-AroundFET）结构。台积电官方表示，这种结构可以进一步提高晶体管密度和性能，并且降低功耗和泄漏。
台积电介绍称，相较于N3E制程技术，N2技术可在相同功耗下，性能最快增加15%；在相同频率下，功耗可降低30%，同时晶片密度增加逾15%。而这一N2工艺将会在年进入量产。