IT之家6月28日消息，根据三星代工（SamsungFoundry）今天在年度三星代工论坛（SFF）上公布的最新工艺技术路线图，该公司计划在年推出2纳米级的SF2工艺，年推出1.4纳米级的SF1.4工艺。与此同时，该公司还公布了SF2工艺的一些特性。
三星的SF2工艺是在今年早些时候推出的第三代3纳米级（SF3）工艺的基础上进一步优化的。与SF3相比，SF2工艺可以在相同的频率和复杂度下提高25%的功耗效率，在相同的功耗和复杂度下提高12%的性能，在相同的性能和复杂度下减少5%的面积。为了让SF2工艺更具竞争力，三星还将为该工艺提供一系列先进的IP组合，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIeGen6和GSerDes等。
继SF2之后，三星将在年推出针对高性能计算（HPC）优化的SF2P，以及于年推出针对汽车应用优化的SF2A工艺。同样在年，该公司还计划开始使用SF1.4（1.4纳米级）制造工艺进行量产。三星的2纳米级工艺将与台积电的N2（2纳米级）工艺大致同步，比英特尔的20A工艺晚一年左右。
IT之家注意到，除了不断提升自己的工艺技术，三星代工还计划继续发展其射频技术。该公司预计其5纳米射频工艺技术将于年上半年准备就绪，与旧版14纳米射频工艺相比，三星的5纳米射频预计可以提高40%的功耗效率，提高约50%的晶体管密度。此外，三星还将于年开始生产氮化镓（GaN）功率半导体，用于消费品、数据中心和汽车领域等各种应用。
在扩大技术供应方面，三星代工仍然致力于扩大其在韩国平泽和美国得州泰勒市的制造能力。三星计划于年下半年在其平泽3号生产线（P3）开始量产芯片。泰勒市新建厂房预计将于今年年底完工，并于年下半年开始运营。三星目前的计划是到年将其洁净室容量比年增加7.3倍。